您好,欢迎来到亚洲制造网!请 |免费注册

产品展厅本站服务收藏该商铺

武汉月忆神湖科技有限公司

免费会员
手机逛
武汉月忆神湖科技有限公司
当前位置:武汉月忆神湖科技有限公司>>半导体耗材>> 紫外负性光刻胶

紫外负性光刻胶

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:
  • 品牌:
  • 产品类别:研磨材料
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2026-01-01 17:50:08
  • 浏览次数:
收藏
举报

联系我时,请告知来自 亚洲制造网

武汉月忆神湖科技有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:105条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2026-01-01
  • 最近登录:2026-01-01
  • 联系人:张经理
产品简介

紫外负性光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

详情介绍

紫外负性光刻胶 - 湿法工艺

品牌

产地

型号

曝光

应用

特性

对生产量的影响

Futurrex

美国

NP9–250P

i线曝光用粘度增强负胶系列

在设计制造中替代基于聚异戊二烯双氮Polyioprene-Bisazide的负胶。

 

在湿刻和电镀应用时很强的粘附力;很容易用去胶液去除

 

单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光

 

避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁;

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间;

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶;

不必使用增粘剂如HMDS

 

NP9–1000P

NP9–1500P

NP9–3000P

NP9–6000P

NP9–8000

NP9–8000P

NP9–20000P

NP9G–250P

g和h线曝光用粘度增强负胶系列

NP9G–1000P

NP9G–1500P

NP9G–3000P

NP9G–6000P

NP9G–8000

Micro Resist

德国

ma-N 400

宽带或i线曝光

0.5 ~ 20 μm胶厚

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

品牌

产地

型号

甩胶范围

应用

GES

瑞士

GM1010

0.2 - 0.8 μm

可用于甩胶和喷涂

GM1040

0.8 - 10 µm

可用于甩胶、喷涂和喷墨打印

GM1050

3 - 8 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1060

10 - 50 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1070

50 - 250 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1075

250 - 350 µm

可用于甩胶和喷墨打印

紫外负性光刻胶 - 干刻工艺

品牌

产地

型号

曝光 

应用

特性

优于正胶的优势

Futurrex

美国

NR71-250P

i线曝光的高级

加工负胶系列

 

替代用

于RIE

加工及

离子植

入的正胶

在RIE加工时优异的选择性以及在离子注入时优异的高温耐受能力

 

厚度范围:﹤0.1~200μm

 

可在i、g以及h-line

波长曝光

控制表面形貌的优异线宽

任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟

光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶

优异的温度阻抗直至180 ℃

在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量

非常容易进行高能量离子注入

不必使用增粘剂如HMDS

NR71-350P

NR71-1000P

NR71-1500P

NR71-3000P

NR71-6000P

NR5-8000

NR71G-250P

g和h线曝光的高

级加工负胶系列

NR71G-350P

NR71G-1000P

NR71G-1500P

NR71G-3000P

NR71G-6000P

NR5G-8000

Micro Resist

德国

ma-N1400

宽带或

i线曝光

0.5~ 20μm胶厚

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;

优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;

优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);

光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

UV负性光刻胶 - lift-off工艺

品牌

产地

型号

厚度


曝光

应用

加工

特性

Futurrex

美国

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

用于i线曝光的负胶

LED、OLED、显示器、MEMS、封装、生物芯片等

金属和介电

质上图案化,

不必使用RIE

加工器件的yong

久性组成

(OLED显示

器上的间隔

区)凸点、

互连、空中

连接微通道

 

显影时形成光刻胶倒

梯形结构

 

厚度范围:0.5~20.0 μm

 

i、g和h线曝光波长曝光

 

 

对生产效率的影响:

金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工

不需要双层胶技术

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

0.7μm~2.1μm

粘度增强

NR9-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR71G-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

负胶对  g、h线波长的灵敏度

NR71G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71G-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71G-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9G-100PY

0.7μm~2.1μm

粘度增强

NR9G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9G-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9G-6000PY

5.7μm~12.2μm

Micro Resist

德国

ma-N 400

宽带或

i线曝光

0.5~20μm胶厚

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

ma-N 1400

品牌

产地

型号

甩胶范围

应用

GES

瑞士

GM1010

0.2 - 0.8 μm

可用于甩胶和喷涂

GM1040

0.8 - 10 µm

可用于甩胶、喷涂和喷墨打印

GM1050

3 - 8 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1060

10 - 50 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1070

50 - 250 µm

可用于甩胶和喷墨打印

GM1075

250 - 350 µm

可用于甩胶和喷墨打印

注:如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息,敬请联系我们!


上一篇: Micro Resist电子束及深紫外光刻胶
下一篇: 全功能紫外固化机
同类优质产品

在线询价

X

已经是会员?点击这里 [登录] 直接获取联系方式

会员登录

X

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏!
标签:
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~