产品简介
德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束及深紫外光刻胶和纳米压印光刻胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。
详情介绍
| 品牌 | 产地 | 型号
| 特点 |
| Micro Resist | 德国 | mr-I 7000E系 纳米压印光刻胶 | Tg = 60℃
优异的成膜质量
由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间
压印温度125 - 150℃，压印压力20 - 50 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA
可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
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| mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃
优异的成膜质量
由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间
压印温度170 - 190℃，压印压力20 - 50 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA
可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
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mr-I PMMA 35k/75系列 | Tg = 105℃
优异的成膜质量
低分子量从而实现高效的流动性
压印温度150 - 180℃，压印压力50 bar
可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
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| mr-I T85系列 | Tg = 85℃
优异的成膜质量
压印温度140 - 170℃，压印压力大于5 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率，高化学稳定性
可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
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| mr-I 9000E系列 | 热固化之前Tg = 35℃
优异的成膜质量接近等温加工处理 n 压印温度120℃ n 脱模温度100℃ 压印时温度从Tg到Tg，Cured增加并固化 非常低的残余胶层厚度低至5 nm Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
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| mr-NIL 6000系列 | 光化学固化之前Tg = 40℃
优质的固体光胶薄膜
接近等温加工处理：压印、紫外曝光固化，压印与脱模在同一温度下进行
非常低的残余胶层厚度低至10 nm
图案转移时高保真度
Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） 宽带或i线曝光
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mr-UVCur06 纳米压印光刻胶 | 旋涂使用
优质的成膜质量和胶厚均一性
室温加工处理
由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间
低剂量紫外曝光快速固化
可获得优于30 nm的分辨率（取决于模版分辨率）
Plasma刻蚀高阻抗性能
O2 Plasma刻蚀可无残余去除
宽带或i线曝光
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