型号 | 有效面积 | 典型的暗电流 | 击穿电压 | 电容 | 间隙 | 类型 | 上升时间(ns) | 芯片 | 封装 | 尺寸(mm) | 面积(mm2) | @10V（nA） | (V) | @10V (pF) | (μm) | | @850nm, 10V, 50Ω | DP3.22-6 | TO5 | 1.4×2.3 | 3.22 | 0.3 | 15 | 3.1 | 50, 氧化物 | 微分 | 30 | QP1-6 | TO5 | Ø 1.13 | 1.00 | 0.1 | 1.0 | 16, 氧化物 | 四象限 | 20 | QP2-6 | TO5 | Ø 1.60 | 2.00 | 0.1 | 2.0 | 20, 氧化物 | QP5-6 | TO5 | Ø 2.52 | 5.00 | 0.2 | 3.0 | 24, 氧化物 | QP5.8-6 | TO5 | 2.4×2.4 | 5.80 | 0.4 | 2.7 | 50, 氧化物 | QP10-6 | TO8S | Ø 3.57 | 10.00 | 0.5 | 5.0 | 28, 氧化物 | QP20-6 | TO8S | Ø 5.05 | 20.00 | 1.0 | 10.0 | 34, 氧化物 | 30 | QP50-6 | TO8S | Ø7.80 | 50.00 | 2.0 | 25.0 | 42, 氧化物 | 40 | QP100-6 | LCC10 | Ø11.20 | 100.00 | 5.0 | 50.0 | 50, 氧化物 | 50 |
型号 | 有效面积 | 暗电流 | 击穿电压 | 典型的电容 | 间隙 | 类型 | 上升时间(ns) | 芯片 | 封装 | 尺寸(mm) | 面积(mm2) | @150V（nA） | (V) | @150V (pF) | (μm) | | @1064nm, 150V, 50Ω | QP45-Q | TO8i | 6.69×6.69 | 4×11 | 20 | 200 | 15.0 | 70 | 四象限 | 5 | QP100-Q | LCC10 | 10×10 | 4×25 | 250 | 25.0 | 50 | 6 | QP154-Q | TO1032i | Ø 14.0 | 4×38.5 | 100 |
|
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。