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杭州秋籁科技有限公司
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暗电流
击穿电压
电容
维数
上升时间(μs)
噪声最小分辨率(μm)
芯片
封装
尺寸(mm)
面积(mm2)
@10V(nA)
(V)
@10V, 100kHz
(pF)
@865nm, 10V, 50Ω
@632nm, 0.50 μW
OD3.5-x
SO8
3.5×1
3.5
6.5
35
15
单轴
0.2
0.05
OD6-7
SO16
6.0×1
6
10.0
DL16-7
CERsmd
4×4
16
30
双轴
0.5
0.06
CERpin
DL100-7
10×10
100
80
75
4.0
LCC10
DL400-7
20×20
400
800
350
0.3
DL100-L
50
40
6.0
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