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杭州秋籁科技有限公司
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上升时间(μs)
并联电阻
芯片
封装
尺寸(mm)
面积(mm2)
@5V(nA)
Diode1, @0V(nF)
Diode2, @0V(nF)
Diode1, @0V, 1kΩ
Diode2, @0V, 1kΩ
Diode2, @10mV
WS7.56
TO5
2.75×2.75
7.56
10
典型值:1.0
典型值:0.1
1
2GΩ
100MΩ
TO5i
15
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