美国 MMR霍尔效应测量系统H5000 美国 MMR 公司,与斯坦福大学合作开发了的致冷器,其具有上 小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K),并将其应用在以下测量系统,提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计,客户可根据实际要求配置系统,也方便日后升级。 霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性,利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。
主要参数: 1.样品固定方式:弹簧探针或引线治具 2.温度:70~730K;80~580K;70~580K;80~730K;室温~730K(可选) 3.磁场:5000Gauss 永磁铁,5000Gauss 电磁场, 1.4T 电磁场(可选) 4.温度稳定度 lt;=0.1K 5.温度响应:1K/sec 6.致冷片:10x14 mm 7.电阻率:10-4~1013 Ohm*cm 8.载流子迁移率:1~107 cm2/volt*sec 9.载流子浓度:103~1019cm-3 10.电流范围:1 pA~100mA 11.电压范围:+/-2.4V, 小可测到 6X10-6 V 12.电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms
参考客户:Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD,中科院,深圳大学,华南理工大学,上海光机所,上海微系统所,四川大学,上海交通大学,常州大学,东北大学,厦门大学,新疆理化研究所,北京物理所等。
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