概括
德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。
品牌 | 产地 | 型号 | 特点 | |
Micro Resist | 德国 | mr-I 7000E系列 | Tg = 60℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度125 - 150℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | |
mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度170 - 190℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | |||
mr-I PMMA 35k/75k系列 | Tg = 105℃ 优异的成膜质量 低分子量从而实现高效的流动性 压印温度150 - 180℃，压印压力50 bar 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | |||
mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 优异的成膜质量 压印温度140 - 170℃，压印压力大于5 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率，高化学稳定性 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | |||
mr-I 9000E系列 | 热固化之前Tg = 35℃ 优异的成膜质量 | |||
mr-NIL 6000系列 | 光化学固化之前Tg = 40℃ 优质的固体光胶薄膜 接近等温加工处理：压印、紫外曝光固化，压印与脱模在同一温度下进行 非常低的残余胶层厚度低至10 nm 图案转移时高保真度 Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 | |||
mr-UVCur06 | 旋涂使用 优质的成膜质量和胶厚均一性 室温加工处理 由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间 低剂量紫外曝光快速固化 可获得优于30 nm的分辨率（取决于模版分辨率） Plasma刻蚀高阻抗性能 O2 Plasma刻蚀可无残余去除 宽带或i线曝光 |
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