产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:IRLD014PBF批号:19+封装:HVMDIP-4(HEXDIP-4)数量:400QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:HVMDIP-4通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | IRLD014PBF |
批号: | 19+ |
封装: | HVMDIP-4 (HEXDIP-4) |
数量: | 400 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | HVMDIP-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 200 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | S |
下降时间: | 26 ns |
上升时间: | 110 ns |
典型关闭延迟时间: | 17 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
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