技术参数
品牌: | ISSI/美国芯成 |
型号: | IS43DR16640C-25DBL |
封装: | N/A |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 3(168 小时) |
类别: | 集成电路(IC) |
产品族: | 存储器 |
存储器类型: | 易失 |
存储器格式: | DRAM |
存储容量: | 1Gb (64M x 16) |
存储器接口: | 并联 |
时钟频率: | 400MHz |
写周期时间 - 字,页: | 15ns |
访问时间: | 400ps |
电压 - 供电: | ~ |
工作温度: | 0°C ~ 85°C(TC) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 84-TFBGA |
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