一、湿法腐蚀机用途和特点:
1、 用途:主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影,湿法腐蚀,清洗,冲洗,甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求,并配制相应的托盘夹具。
2、湿法腐蚀机特点:
(1)外观整洁、美观,占地面积小,节省超净间的使用面积;
(2)VoD顶盖阀门控制技术 避免二次污染;
(3)显影腐蚀液独立的试剂供给管路;
(4)处理腔内差压精准控制;
(5)满足2英寸~12英寸的防腐托盘;
(6)试剂注射角度可调节;
(7)设计的“腔洗"构造,保证“干进干出";
(8) 湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。
二、湿法腐蚀机主要性能指标:
1. 系统概述
智能嵌锁,系统盖板具有智能嵌锁装置,确保操作安全;
保护气体,CDA(清洁干燥气体)/氮气(N2),气压60~70PSI;
通信接口,蓝牙连接;
2. 基片及处理方式
基片尺寸满足直径300mm以内基底材料;
基片处理方式,手动上下载;
3. 控制系统
用户界面,650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件;
可存储20个程序段;
51 骤工艺步骤;
时间设定范围,~(最小增量 S);
旋转速度,3,000 rpm,± rpm (带安全罩);
马达加速度,1–12,000 rpm/s;
4. 试剂分配系统
化学试剂分配
4. A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气;
4. B 背部清洗 Back Riser 1路纯水;
4. C 样片冲洗甩干 1路纯水和1路氮气;
.4 D 自定义化学试剂可同时接入(根据用户应用选择几路液体)自定义的化学试剂(显影液/腐蚀液/其他清洗液);
试剂供给方式
*4. A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体(可用氮气替代)由实验室自行供应;
4. B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给;
注射装置采用日本雾的池内专用喷嘴;
三、适用工艺(包括但不限于下述湿法制程)
光刻胶显影(KrF/ArF)
SU8厚胶显影
显影后清洗
PostCMP清洗
光罩去胶清洗
光刻胶去除
金属Lift-off处理
刻蚀微刻蚀处理
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