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红外热像仪在存储条(DRAM)出厂缺陷检测中的应用方案

2026年09月03日 15:50:56      来源:武汉格物优信科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:1

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存储条出厂检测:温度是比电参数更直观的”体检报告”

存储条(DRAM内存条)的出厂检测,传统做法是靠功能测试——跑一遍读写测试,看有没有报错。这种方法能筛掉大部分功能性缺陷,但有几个盲区:

一是隐性缺陷。有些焊点虚焊、BGA焊球空洞,功能测试当下可能不报错,但装到服务器或PC里跑几个月,热胀冷缩一折腾,接触不良就暴露了。

二是局部短路或漏电。存储条上的电源管理IC、去耦电容、走线,如果存在设计或工艺缺陷,通电后局部电流异常,发热量会比正常件高出一截。功能测试测的是”能不能用”,测不出”哪里在偷偷发热”。

三是散热设计验证。AI算力场景下,DDR5内存条功耗比DDR4高了不少,高频运行时芯片表面温度分布是否均匀、散热片贴合是否到位,这些都需要量化评估。

红外热像仪的价值,就是把上面这些”看不见的问题”变成一张温度图,让缺陷无处藏身。

存储条上的缺陷,在热像图里长什么样?

存储条通电工作后,正常元器件的温度分布是相对稳定的。一旦出现缺陷,温度场会出现可识别的异常模式。学术界和工业界已经总结出一些典型对应关系:

短路缺陷:电流路径异常,局部功耗激增,热像图上表现为明显的热点,温度可能比周围正常区域高30℃以上。

红外热像仪在存储条(DRAM)出厂缺陷检测中的应用方案

虚焊/冷焊:焊点接触电阻增大,通电时产生焦耳热。BGA焊球如果存在虚焊或空洞率过高,焊球之间的温差可能超过15℃。

断路/开路:该发热的元件没通电,温度比正常工作时低,在热像图上表现为”冷点”。

电容ESR退化:电解电容或陶瓷电容等效串联电阻增大,顶部温升超过3℃即预示性能衰减。

走线过载:PCB铜箔某段线宽不足或电流密度过高,热像图上呈现线状高温带。

这些温度异常,用肉眼或万用表很难发现,但热像仪一扫,缺陷位置直接标在图上。

传统检测手段为什么不够用?

AOI光学检测看的是形,不是热。 AOI能发现焊点缺锡、元件偏移、极性反接这类外观问题,但虚焊的焊点表面看起来可能正常,内部却已经存在空洞或裂纹。热像仪看的是”工作状态下的热行为”,和AOI互补。

ICT/FCT功能测试覆盖面有限。 功能测试验证的是”能不能读写”,但测不出某个电容正在缓慢失效、某条走线电流密度偏高。这些隐患在功能测试阶段可能全部通过,到了客户端才暴露。

接触式测温不适合产线批量检测。 热电偶需要逐点接触,存储条上的芯片、电容、电阻密密麻麻,逐点测不现实。而且接触式测量会干扰被测件的热状态,测出来的数据本身就有偏差。

X射线检测成本高、效率低。 X光能看出BGA焊球内部空洞,但设备贵、检测速度慢,不适合产线全检,通常只做抽检。

红外热像仪怎么做存储条缺陷检测?

核心思路很简单:给存储条通电,让它在典型工作负载下运行,用红外热像仪拍摄整个PCB表面的温度分布,对比良品的热图模板,找出温度异常区域。

具体做法分两种场景:

离线抽检/研发验证:在实验室或质检工位,把存储条插到测试夹具上通电,用手持或台式热像仪逐条扫描。适合小批量、高价值产品(如服务器内存条)的精细检测。

在线全检:在产线末端加装在线式热像仪,存储条通电测试的同时自动拍摄热图,AI算法实时比对,异常件自动分拣。适合大批量消费级内存条的快速筛查。

红外热像仪在存储条(DRAM)出厂缺陷检测中的应用方案

两种场景对热像仪的要求不一样,后面会分别说。

格物优信存储条缺陷检测方案

存储条上的元件尺寸很小——DDR5颗粒封装可能只有几毫米见方,BGA焊球直径不到0.5mm,去耦电容更是小到0402甚至0201封装。普通热像仪拍这种目标,一个元件只占几个像素,根本看不清细节。

红外热像仪在存储条(DRAM)出厂缺陷检测中的应用方案

格物优信针对这类场景,提供从微距科研级到工业在线级的完整产品矩阵:

方案一:微距级精细检测 — 格物优信X640/X1280微距热像仪

这是存储条缺陷检测的主力配置。核心思路是用高分辨率探测器+微距镜头,把微小元件”放大”到热像图上,确保每个芯片、每个焊球都有足够的像素覆盖。

| 核心参数 | X640系列 | X1280系列 |

| 探测器分辨率 | 640×512 | 1280×1024 |

| 微距镜头选项 | UM8(8μm像元)、UM17(17μm像元)、UM25(25μm像元) | 4.8μm像元微距镜头 |

| 最小可测目标 | 约3微米 | 约4.8微米 |

| 热灵敏度(NETD) | ≤50mK | ≤50mK |

| 帧频 | 125Hz | 74Hz |

| 测温精度 | ±2°C或±2% | ±2°C或±2% |

X1280系列配4.8μm微距镜头,1280×1024分辨率意味着单张热图超过130万个温度像素点。拍一张存储条的热图,上面的每个DRAM颗粒、电源管理IC、去耦电容都能清晰分辨,甚至能看清芯片表面不同功能区的温度差异。

X640系列配UM8微距镜头(8μm像元),在性价比和分辨率之间做了平衡。对于存储条上2mm×2mm级别的芯片,在25cm工作距离下能覆盖约12×12像素,足够识别热点和温度梯度。

发射率修正是个关键点。 存储条表面材料复杂——芯片封装是陶瓷或塑料(发射率0.85-0.93),焊盘和走线是金属铜(发射率0.1-0.3),PCB基板是玻纤(发射率0.85左右)。格物优信IRstudio软件支持分区发射率设置,可以对不同区域分别标定,确保金属焊盘和芯片主体的测温都准确。

方案二:产线在线批量筛查 — 格物优信X系列在线式热像仪

如果存储条产量很大,需要全检,可以在产线测试工位上方固定安装在线式热像仪。存储条通电测试的同时,热像仪自动拍摄热图,与良品模板比对,异常件自动报警分拣。

| 核心参数 | 规格 |

| 探测器分辨率 | 384×288 / 640×480 / 640×512可选 |

| 帧频 | 50Hz全幅 |

| 测温范围 | -20℃~2000℃(多档切换) |

| 数据接口 | 千兆以太网,支持ONVIF协议 |

| 软件功能 | 超温报警、温度区间报警、自动抓拍、历史追溯 |

在线方案的优势是速度快、不增加额外工序。存储条在测试夹具上通电的几十秒里,热像仪同步完成温度扫描,不需要单独增加检测工位。

方案三:上电瞬态分析 — 格物优信X-H系列高速热像仪

有些缺陷只在通电瞬间表现明显。比如某个电容存在轻微短路,上电瞬间会有个电流冲击,温度在几毫秒内陡升,稳态后反而恢复正常。普通热像仪帧频只有25-30Hz,根本抓不住这个瞬态过程。

X-H系列高速热像仪帧频125Hz,热时间常数4ms,可以完整记录存储条从上电到稳定工作全过程的温度变化。对于分析上电浪涌、电源时序、芯片启动热行为这类问题,高速数据比静态热图更有价值。

配套软件:IRstudio让热图变成检测报告

硬件拍完之后,数据分析是另一道坎。格物优信IRstudio科研专用软件提供以下功能:

– A/B热图对比:把待测存储条的热图和良品模板叠在一起,差异区域自动高亮

– 点/线/面温度分析:在芯片表面画一条线,提取沿线的温度剖面,看有没有异常温升

– ROI区域跟踪:即使存储条在测试夹具上有轻微位移,软件也能锁定关注区域持续测温

– 全辐射原始数据导出:保留每一帧的完整温度信息,导入MATLAB或Python做二次分析

– 报告自动生成:检测完成后一键导出带热图、温度数据、判定结论的PDF报告

选型建议

| 你的场景 | 推荐配置 |

| 实验室研发验证,需要看清存储条上每个芯片的细节 | X1280系列 + 4.8μm微距镜头 + 科研支架 |

| 质检部门离线抽检,2mm级芯片热点定位 | X640系列 + UM8/UM17微距镜头 |

| 产线在线全检,批量筛查温度异常件 | X640F在线式 + 固定支架 + 自动报警 |

| 分析上电瞬态、电源时序、启动热冲击 | X-H系列高速热像仪 + 触发同步 |

| 汽车电子/工控存储条,有国产化合规要求 | X系列99%国产化机型(赛宝认证) |

格物优信X系列已通过电子第五研究所(赛宝实验室)99%国产化认证,整机31项核心电子元器件全部国产,无进口部件。对于、信创、汽车电子等有供应链安全要求的客户,可以直接写入招投标文件。

存储条的缺陷检测,本质上是把”电性能异常”翻译成”温度场异常”。红外热像仪的价值,就是让这种翻译变得直观、快速、可量化。

如果你在评估存储条或PCBA的热缺陷检测方案,需要针对具体的芯片尺寸、产线节拍、检测精度要求做配置,可以联系格物优信拿详细的技术参数和实测样张。

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