防爆手电筒的发光原理：发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光 。
防爆手电筒的特性：
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，LED发热、损坏。
（2）大正向直流电流IFm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）大反向电压VRm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
（5）打开电源时，不会产生火花，从而在危险空间不会因火花而发生爆炸的可能，达到防爆的效果，所以叫防爆手电。
