产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:IRLD120PBF批号:19+封装:HVMDIP-4(HEXDIP-4)数量:8900QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:DIP-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | IRLD120PBF |
批号: | 19+ |
封装: | HVMDIP-4 (HEXDIP-4) |
数量: | 8900 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | DIP-4 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 270 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 12 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 27 ns |
正向跨导 - 最小值: | S |
高度: | mm |
长度: | mm |
上升时间: | 64 ns |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
典型关闭延迟时间: | 21 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
宽度: | 5 mm |
单位重量: | mg |
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