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NITROGEN-M-100/200半导体行业专用氮气发生器(腔体保护气,干泵吹扫气)

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  • 更新时间:2025-11-28 11:48:25
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半导体行业专用氮气发生器(腔体保护气,干泵吹扫气)NITROGEN-M-100/200采用膜分离技术,无须二次净化,即可连续获得洁净、干燥、无邻苯二甲酸酯的氮气,氮气纯度和流量稳定,使用寿命长。

详情介绍

半导体行业专用氮气发生器(腔体保护气,干泵吹扫气)

NITROGEN-M-100/200

Peculiar针对LC/MS 氮气流量、纯度、压力的特殊要求专门设计了安全、高效、方便的专用于

PECULIAR(UK)INSTRUMENT     TECHNOLOGY     LIMITED 英国普拉勒科技有限公司LC/MS 气发生器,产生纯度高达99.5%的洁净、干燥氮气,符合半导体行业腔体保护气,干泵吹扫气

要求,包含APCI及ESI接口。氮气发生器采用膜分离技术,无须二次净化,即可连续获得洁净、干

燥、无邻苯二甲酸酯的氮气,氮气纯度和流量稳定,使用寿命长。外置涡旋压缩机提高了空气供应

的安全性,流速范围从0-100L/min, 可同时为一台或多台仪器供应氮气。特殊机型可以定制,最

大流速范围可以达到200 L/min。

 

主要技术参数 |

MAIN          TECHNICAL          PARAMETERS

◎流量:0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作环境:5C-40℃   湿度80%

◎使用海拔:2200m

◎露点:<-55℃

◎颗粒:<0.01μm

◎滞留液体:无

◎邻苯二甲酸:无

◎噪声:<47dB(A)

◎开机纯化时间:30min

◎功率:8000W

◎电力要求:220V 50Hz


 

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