供应Advanced Photonix光电探测器件美国API

品牌	Advanced Photonix	型号	UV-001 UV-005 UV-015 UV-20 UV-35 UV-50 UV-50L UV-100 FIL-UV005 FIL-UV20 FIL-UV
种类	光学模组	波段范围	FIL-UV35P FIL-UV35 FIL-UV50 FIL-UV100 OSD1.2-7U OSD1.2 OSD5.8 OSD35-7Q OSD35 UV
运转方式	重复脉冲式	激励方式	光泵式
工作物质	固体	光路径	透过型外光路
输出形式	UV35D UV013D UV013DC UV035 UV035D UV035DC UV005 UV005DC UV005 UV100DC UV005EC U	传输信号	图腾柱型
速度	高速	通道	双通道
输出波长	UV035E UV035EC UV013E UV013EC UV005E UV005EC UV-005D UV-013D UV-035D UV(nm)	线宽	红外抑制光二极管光电二极管红外光电二极管红外光二极管平面漫射光二极管逆温层光电二极管光二极管(mm)

OSI的光电提供了两种紫外增强型硅光电二极管截然不同的的家庭。反转通道串联和平面扩散系列。的器件这两个系列是专为在的电磁波谱紫外区低噪声检测。逆温层结构紫外增强光敏展出100 ％内部量子效率和有丰富经验的弱光测量的理想选择。他们有较高的分流电阻，低噪音，高击穿电压。在表面和量子效率的响应均匀提高5至10伏的应用反向偏压。 Photocureent非线性集在反演层相比，扩散的产品低光电流。低于700nm之间，其响应度随温度不大。

平面扩散结构(紫外线- D系列)紫外线增强光电二极管显示显着的优势超过逆温层设备，如低电容和更高的响应时间。这些器件表现出线性度的光电流最多较高的响应时间。这些器件展出线性的光电流至更高的光输入功率相比，逆温层器件。他们有相对较低的响应度和量子效率相比，逆温层设备。

有两种类型的平面扩散紫外线增强光电二极管可用： UVD技术和机UVE 。这两个系列都几乎相同的光电特性，除了在机UVE系列，其中的设备近红外反应被抑制。这是特别可取的，如果堵住了光谱近红外区是必要的。 UVD技术设备的峰值970 nm和在720 nm的(见图表)机UVE设备。这两个系列可能会偏向低电容，更快的响应和更宽的动态范围。或者，他们可以工作在光伏(无偏)需要随温度变化的低漂移的应用模式。本机UVE器件具有比的UVD设备同行更高分流电阻，但有较高的电容。这些探测器的耦合中的电流模式配置运算放大器理想如上所示；应用于：