红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性， 万用表两次所测的数值都为zui大，这时可判定IG模块门极正常。如果有数字显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

infineon英飞凌可控硅BSM300GA170DN2S,IG可控硅

半导体器件具有温度敏感性，因此IG模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升IG模块可利用的电流就会下降，英飞凌IG模块是按壳温TC=80℃来标称其zui大允许通过的集电流极电流（IC）。对于西门子 英飞凌NPT-IG 芯片来说，当TC≤25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但随着TC 的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些公司是按TC＝25℃的电流值来标称型号，这需用户特别注意。

若在IG的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IG与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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概述；

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