加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。 电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。

IG模块ABB可控硅FS200R06KE3ABB可控硅

在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的主要参数: 1 额定通态电流（IT)即zui大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM*VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

ABB失压动作模块的控制开关是一个可控硅，交流通过可控硅就会变成半波脉动的电流，这个时候50HZ的400V电流通过只有200V左右，频率降低到44，电压会降低到160V左右，失压模块肯定要动作了，一般失压模块的zui低阈值在175左右。

IG模块ABB可控硅FS200R06KE3，ABB晶闸管

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