1. 一般保存IG模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IG模块表面可能有结露水的现象，因此IG模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IG模块上堆放重物;
5. 装IG模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IG模块的的办法。

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若在IG的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IG与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IG的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IG导通。
反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IG关断。IG的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IG在高电压时，也具有低的通态电压。

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