IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。

IG模块infineon英飞凌可控硅BSM35GD120DLCE3224，可控硅模块

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IG的集电极（C），红表笔接IG的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IG被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IG被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IG是好的。

若在IG的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IG与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u的漏电流流过，基本上不消耗功率。

一、逆变器IG模块检测
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IG模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性，来判断IG模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为zui大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为zui大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IG模块性能变差，应予更换。IG模块损坏时，只有击穿短路情况出现。

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