需指出的是：IG 参数表中标出的IC 是集电极zui大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先zui大结温不能超过150℃，其次还受安全工作区（SOA）的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的zui大电流不同。同时，各大厂商也给出了2 倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms 的单脉冲能通过的zui大通态电流值，即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs 以内，英飞凌NPT-IG 短路电流承受能力可高达10 倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生，器件寿命周期内总次数不能大于1000 次，两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT 型IG，这种短路总次数不能大于100 次，这是由于NPT-IG 过载能力、可靠性比PT 型高的原因。

infineon英飞凌可控硅BSM75GAL120DN2，可控硅模块

1. 一般保存IG模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IG模块表面可能有结露水的现象，因此IG模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IG模块上堆放重物;
5. 装IG模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IG模块的的办法。

IG的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IG通态损耗的饱和压降VCE（sat）和决定IG开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IG。
在低频如fk《10KHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型IG系列。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3"或“DLC"系列IG；但英飞凌后缀为“KT3"系列饱和压降与“KE3"系列饱和压降相近，“KT3"比“KE3"开关损耗降低20％左右，因而“KT3"将更有优势。“KT3"由于开关速度更快，对吸收与布线要求更高。

IG可控硅，infineon英飞凌可控硅BSM75GAL120DN2

IG（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IG综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。