德国 ALLRESIST 紫外光刻胶，各种工艺：喷涂 胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

德国 ALLRESIST 紫外光刻胶

1. 紫外光刻胶（Photoresist）

1）各种工艺：喷涂 胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。

2）各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。

3）各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

• 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）

1）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。

2）电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。

• 特殊工艺用光刻胶（Special manufacture/experimental sample）

电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶），全息光刻用胶，长波曝光胶，深紫外曝光胶等特殊工艺用胶。

4.配套试剂（Process chemicals）

显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。

一．紫外光刻胶（Photoresist）

1. 正胶：

AR-P 1200 喷涂用光刻胶（Spray Coating）

适合喷涂（Spray Coating）的正性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。

AR-P 3100 薄胶

高灵敏度光刻胶，胶膜薄且均匀。在玻璃和镀铬表面附着力好，可用于光学器件加工、掩膜制作、激光干涉曝光等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的线条（几十纳米）。

AR-P 3200 厚胶

黏度大，可得到厚胶膜，厚度可达几十微米，甚至上百微米。胶膜覆盖能力好，适合粗糙的 Wafer 表面涂胶，可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。

AR-P 3500，AR-P 3500T 通用型光刻胶

适于集成电路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中，AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化，而新研制的一种光刻胶；性能和AR-P 3500相似，同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能，以及大的工艺宽容度。

AR-P 3700/3800 高分辨率光刻胶

可用于制作亚微米结构，如高集成电路等。甩胶层表面平整均匀，高敏感度，高对比，良好的结构稳定性，工艺要求范围宽。AR-P 3840为染色的光刻胶，可以降低驻波和散射等的影响。

AR-P 5300 单层Lift-Off工艺用胶

Lift-off工艺用胶，利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率，且与金属和氧化物表面附着良好。

2. 图形反转胶

AR-U 4000 图形反转胶

通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后，光刻胶呈现负胶性能，可以得到非常明星的倒梯形结果，用于lift-off工艺。

3.负胶

AR-N 2200

适合喷涂（Spray Coating）的负性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。

AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，专为满足*集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能，在金属和氧化物表面的附着力好，并可用于lift-off工艺。

AR-N 4340 化学放大胶，紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、g线曝光。化学放大胶，高灵敏度，高分辨率，高对比度，在金属和氧化物表面附着力好，可用于lift-off工艺。

AR-N 4400 厚胶，化学放大胶，可以做lift-off工艺

i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米，覆盖能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率。化学放大胶，灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。采用碱性水溶液显影，除胶非常容易，可以提到传统的SU8胶。

二．电子束抗蚀剂

1.正胶

PMMA（AR-P 631~ 671，AR-P 639~ 679，AR-P 672）

PMMA胶 主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。

PMMA胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA胶，以满足各类电子束光刻的工艺要求。另外，厂商还可以根据客户的具体需求来生产其他分子量、固含量的PMMA胶。

PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。

（注：工厂可根据用户的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA胶。）

AR-P 617 （PMMA/MA共聚物）

适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高，是普通PMMA胶的3~ 4倍，对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。

AR-P 6200 超高分辨率、高耐刻蚀电子束正胶

高分辨率，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。高深宽比（可达20:1），高对比度 gt;15）。良好的耐干法刻蚀性能，是PMMA胶的2倍。可以取代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。

AR-P 6510 （PMMA厚胶）LIGA工艺用正胶

以PMMA为基础开发出的电子束厚胶，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。