产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NTJD5121NT1G封装:SOT363批次:21+数量:10000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-88-6通道数量:2Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:295mARdsOn-漏源导通电阻:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTJD5121NT1G |
封装: | SOT363 |
批次: | 21+ |
数量: | 10000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-88-6 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 295 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
长度: | 2 mm |
系列: | NTJD5121N |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | mm |
下降时间: | 32 ns |
上升时间: | 34 ns |
典型关闭延迟时间: | 34 ns |
典型接通延迟时间: | 22 ns |
单位重量: | 6 mg |
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