| 整机结构 | 前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计 |
| 等离子体源 | 射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源 |
| 反应腔室 | 标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构 |
| 机械传片 | 单臂或双臂高精度机械手 |
| Wafer升降 | 机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理 |
| 真空泵 | 干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-600m3/h规格。如工艺需求，可增加分子泵。 |
| 工艺压力控制 | 自动调压蝶阀 |
| 真空检测 | 管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计 |
| 工艺气体种类 | 标准配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工艺气体 |
| 气体流量控制 | 质量流量控制器（MFC） |
| 反应腔室温度范围 | 50 - 280℃ |
| 控制系统 | 基于工业电脑设计开发的人机交互系统，系统设计人性化、操作简单 |
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