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IGBT RGW00TS65 igbt高频/超高速igbt/高速开关IGBT双极管/节能IGBT

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:RGW00TS65 igbt高频/超高速igbt/高速开关IGB
  • 品牌:
  • 产品类别:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-03-19 22:18:33
  • 浏览次数:4
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深圳源芯半导体有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1371条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-03-19
  • 最近登录:2023-03-19
  • 联系人:黄庆武
产品简介

详情介绍

Ignition IGBT/IGBT绝缘栅场效应晶体管/光伏igbt/电磁炉igbt/半导体igbt/罗姆igbt代理/大功率igbt/变频器igbt/igbt器件/igbt供应商/igbt生产厂家/igbt半导体/igbt晶体管/igbt单管/电焊机igbt/igbt管/绝缘栅双极晶体管/ROHM罗姆igbt/功率双极晶体管/功率半导体器件/半导体功率器件/igbt和mos管的区别/igbt经销商/igbt和mosfet区别/igbt和场效应管区别/IGBT晶体管650V绝缘栅双极晶体管/rohm功率器件/rohm晶体管/ROHM igbt代理igbt元件IField Stop Trench IGBT/电源IGBT/车规IGBT/汽车IGBT/ROHM绝缘栅双极晶体管/便宜的igbt/大功率igbt晶体管/晶体管电源IGBT/绝缘栅双极晶体管IGBT igbt高频/超高速igbt/高速开关IGBT双极管/节能IGBT/高电压IGBT/大电流IGBT低开关损耗IGBT/控制器igbt/汽车IGBT

型号 支持车载(AEC-Q101) VCES (V) Lc (A) PD (W) VCE(sat)TYP. (V) tsc Min. (usec) LF(Diode) (A) VF(Diode) Typ. (V) 封装
Tc=25℃ Tc=100℃ Lc (A) Tc=25℃ Tc=100℃ lF(A)
RGTH系列
RGTH40TS65 –– 650 40 20 144 20 –– –– –– –– –– TO-247N
RGTH50TS65 –– 650 50 25 174 25 –– –– –– –– ––
RGTH60TS65 –– 650 58 30 194 30 –– –– –– –– ––
RGTH80TS65 –– 650 70 40 234 40 –– –– –– –– ––
RGTH00TS65 –– 650 85 50 277 50 –– –– –– –– ––
RGTH40TS65D※ –– 650 40 20 144 20 –– 35 20 20
RGTH50TS65D※ –– 650 50 25 174 25 –– 35 20 20
RGTH60TS65D※ –– 650 58 30 194 30 –– 40 20 20
RGTH80TS65D※ –– 650 70 40 234 40 –– 40 20 20
RGTH00TS65D※ –– 650 85 50 277 50 –– 50 30 30
RGTH40TK65 –– 650 23 14 56 20 –– –– –– –– –– TO-3PFM
RGTH50TK65 –– 650 26 16 59 25 –– –– –– –– ––
RGTH60TK65 –– 650 28 17 61 30 –– –– –– –– ––
RGTH80TK65 –– 650 31 19 66 40 –– –– –– –– ––
RGTH00TK65 –– 650 35 21 72 50 –– –– –– –– ––
RGTH40TK65D※ –– 650 23 14 56 20 –– 26 15 20
RGTH50TK65D※ –– 650 26 16 59 25 –– 26 15 20
RGTH60TK65D※ –– 650 28 17 61 30 –– 28 16 20
RGTH80TK65D※ –– 650 31 19 66 40 –– 28 16 20
RGTH00TK65D※ –– 650 35 21 72 50 –– 34 19 30
RGCL系列
RGCL60TS60 –– 600 48 30 111 30 –– –– –– –– –– TO-247N
RGCL80TS60 –– 600 65 40 148 40 –– –– –– –– ––
RGCL60TS60D※ –– 600 48 30 111 30 –– 35 20 20
RGCL80TS60D※ –– 600 65 40 148 40 –– 35 20 20
RGCL60TK60 –– 600 30 18 54 30 –– –– –– –– –– TO-3PFM
RGCL80TK60 –– 600 35 21 57 40 –– –– –– –– ––
RGCL60TK60D※ –– 600 30 18 54 30 –– 26 15 20
RGCL80TK60D※ –– 600 35 21 57 40 –– 26 15 20
RGTH系列
RGTV00TS65 –– 650 95 50 276 50 2 –– TO-247N
RGTV00TS65D※ –– 650 95 50 276 50 2 84 50 50
RGTV60TS65 –– 650 60 30 194 30 2 ––
RGTV60TS65D※ –– 650 60 30 194 30 2 56 30 50
RGTVX6TS65 –– 650 144 80 404 80 2 ––
RGT系列
RGT8NL65D※ –– 650 8 4 65 5 4 5 7 4 4 TO-263L(LPDL)
RGT16NL65D※ –– 650 16 8 94 5 8 5 16 8 8
RGT16TM65D※ –– 650 9 5 22 5 8 5 13 7 8 TO-220NFM
RGT30NL65D※ –– 650 30 15 133 5 15 5 26 15 15 TO-263L(LPDL)
RGT30TM65D※ –– 650 14 8 32 5 15 5 17 9 15 TO-220NFM
RGT40NL65D※ –– 650 40 20 161 5 20 5 35 20 20 TO-263L(LPDL)
RGT40TM65D※ –– 650 17 10 39 5 20 5 22 13 20 TO-220NFM
RGT50NL65D※ –– 650 48 25 194 5 25 5 35 20 20 TO-263L(LPDL)
RGT50TM65D※ –– 650 21 13 47 5 25 5 22 13 20 TO-220NFM
RGT8BM65D※ –– 650 8 4 62 5 4 5 7 4 4 TO-252
RGT16BM65D※ –– 650 16 8 94 5 8 5 16 8 8
RGT8NS65D※ –– 650 8 4 65 5 4 5 7 4 4 TO-263L(LPDL)/ TO-262
RGT16NS65D※ –– 650 16 8 94 5 8 5 16 8 8
RGT30NS65D※ –– 650 30 15 133 5 15 5 26 15 15
RGT40NS65D※ –– 650 40 20 161 5 20 5 35 20 20
RGT50NS65D※ –– 650 48 25 194 5 25 5 35 20 20
RGT40TS65D※ –– 650 40 20 144 5 20 5 35 20 20 TO-247N
RGT50TS65D※ –– 650 48 25 174 5 25 5 35 20 20
RGT60TS65D※ –– 650 55 30 194 5 30 5 40 20 20
RGT80TS65D※ –– 650 70 40 234 5 40 5 40 20 20
RGT00TS65D※ –– 650 85 50 277 5 50 5 50 30 30
RGS系列
RGS60TS65DHR※ YES 650 56 30 223 5 30 8 56 30 30 TO-247N
RGS80TS65DHR※ YES 650 73 40 272 5 40 8 56 30 30
RGS00TS65DHR※ YES 650 88 50 326 5 50 8 56 30 30
RGS00TS65EHR※ YES 650 88 50 326 5 50 8 84 50 50

源芯半导体碳化硅SIC现货专家,专营:SiC碳化硅功率元器件SiC Mosfet 、SiC SBD-碳化硅肖特基势垒二极管全SiC功率模块、SiC碳化硅驱动芯片IC-IPM智能功率模块、ROHM碳化硅、CREE碳化硅功率元器件

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