中低压SGT MOSFET

技术介绍

屏藏栅沟槽MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是基于传统沟槽式 MOSFET(U- MOSFET)的一种改进型沟情式功率MOSFET,通过多晶硅场板的引入，显著地降低了米勒电客Codo 同时依靠厚氧化层的电荷感成效成，在传统Trench MOSFET垂直耗尽(p-body/n-epl结)基础上引入水平耗尽，在深Trench底部引入一个新的电场尖峰，由此将漂移区电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在实现同样的击穿电压时降低了漂移区电阻，从而是著降低了器件的单位面积导通电阻。
龙腾SGT系列产品利用自有技术，采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，产品具有营崩耐量高及优 化的EMI特性。产品电压涵盖30V-200V, 覆盖各种应用领域。